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BAP51-02-TP

BAP51-02-TP

참조 용

부품 번호 BAP51-02-TP
PNEDA 부품 번호 BAP51-02-TP
설명 RF DIODE PIN 60V 715MW SOD523
제조업체 Micro Commercial Co
단가
1 ---------- $8.0109
100 ---------- $7.6354
250 ---------- $7.2599
500 ---------- $6.8844
750 ---------- $6.5714
1,000 ---------- $6.2585
재고 있음 361
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAP51-02-TP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAP51-02-TP
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
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  • BAP51-02-TP Distributor

BAP51-02-TP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)60V
현재-최대50mA
커패시턴스 @ Vr, F0.35pF @ 5V, 1MHz
저항 @ If, F2.5Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)715mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-79, SOD-523
공급자 장치 패키지SOD-523

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전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

430mA

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

825mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

BAR6405WE6433HTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

150V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

1.35Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

PG-SOT323-3

BAR8902LRHE6433XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

80V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 1V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SOD-882

공급자 장치 패키지

PG-TSLP-2

BAT 62-02W E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

40V

현재-최대

20mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.6pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-80

공급자 장치 패키지

SCD-80

RN739DT146

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.4pF @ 35V, 1MHz

저항 @ If, F

7Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

100mW

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

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