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BAP51-02-TP

BAP51-02-TP

참조 용

부품 번호 BAP51-02-TP
PNEDA 부품 번호 BAP51-02-TP
설명 RF DIODE PIN 60V 715MW SOD523
제조업체 Micro Commercial Co
단가
1 ---------- $8.0109
100 ---------- $7.6354
250 ---------- $7.2599
500 ---------- $6.8844
750 ---------- $6.5714
1,000 ---------- $6.2585
재고 있음 361
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예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAP51-02-TP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAP51-02-TP
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BAP51-02-TP, BAP51-02-TP 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 397.01 KB)
PDFBAP51-02-TP 데이터 시트 표지
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  • BAP51-02-TP Distributor

BAP51-02-TP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)60V
현재-최대50mA
커패시턴스 @ Vr, F0.35pF @ 5V, 1MHz
저항 @ If, F2.5Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)715mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-79, SOD-523
공급자 장치 패키지SOD-523

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커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

825mW

작동 온도

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다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

40V

현재-최대

20mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.6pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SCD-80

BAR81WH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard - Single

전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.9pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

1Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Isolated

전압-피크 역방향 (최대)

70V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

35Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

HSMS-282Y-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SOD-523

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