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BAP55L,315

BAP55L,315

참조 용

부품 번호 BAP55L,315
PNEDA 부품 번호 BAP55L-315
설명 RF DIODE PIN 50V 500MW DFN1006-2
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,192
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAP55L 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAP55L,315
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BAP55L, BAP55L 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 109.13 KB)
PDFBAP55L 데이터 시트 표지
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BAP55L 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)50V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F0.28pF @ 20V, 1MHz
저항 @ If, F700mOhm @ 100mA, 100MHz
전력 손실 (최대)500mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스SOD-882
공급자 장치 패키지DFN1006-2

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Skyworks Solutions

제조업체

Skyworks Solutions Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

3V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.15pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

13Ohm @ 5mA, 18GHz

전력 손실 (최대)

75mW

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TA)

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

HSMS-2802-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

70V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

35Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

BA783-HG3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

1.2Ohm @ 3mA, 1GHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

HSMS-286Y-BLKG

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SOD-323

HSMP-3833-BLKG

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Anode

전압-피크 역방향 (최대)

200V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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