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BAP64-06W,115

BAP64-06W,115

참조 용

부품 번호 BAP64-06W,115
PNEDA 부품 번호 BAP64-06W-115
설명 RF DIODE PIN 100V 240MW SOT323-3
제조업체 NXP
단가
1 ---------- $0.8091
500 ---------- $0.7712
1,000 ---------- $0.7332
2,500 ---------- $0.6953
5,000 ---------- $0.6637
10,000 ---------- $0.6321
재고 있음 10,421
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BAP64-06W 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAP64-06W,115
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BAP64-06W, BAP64-06W 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 202.43 KB)
PDFBAP64-06W 데이터 시트 표지
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BAP64-06W 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
다이오드 유형PIN - 1 Pair Common Anode
전압-피크 역방향 (최대)100V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F0.35pF @ 20V, 1MHz
저항 @ If, F1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
전력 손실 (최대)240mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SOT-323-3

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M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

200V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

500mOhm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

Axial

HSMS-2810-TR2G

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시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

20V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

HSMP-386J-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 4 Pair Parallel

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1.25pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

770mOhm @ 50mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

2W

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-QFN (2x2)

MA4P4002F-1091T

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

200V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

500mOhm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

7.5W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

패키지 / 케이스

2-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

SMD

HSMP-3895-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 2 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143-4

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