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BAR 90-081LS E6327

BAR 90-081LS E6327

참조 용

부품 번호 BAR 90-081LS E6327
PNEDA 부품 번호 BAR-90-081LS-E6327
설명 RF DIODE PIN 80V 150MW TSSLP-8-1
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,596
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 7 - 12월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAR 90-081LS E6327 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAR 90-081LS E6327
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
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  • BAR 90-081LS E6327 Distributor

BAR 90-081LS E6327 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형PIN - 4 Independent
전압-피크 역방향 (최대)80V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F0.35pF @ 1V, 1MHz
저항 @ If, F800mOhm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)150mW
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스8-XFDFN
공급자 장치 패키지TSSLP-8-1

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Rohm Semiconductor

시리즈

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.4pF @ 1V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

2-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

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시리즈

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다이오드 유형

Schottky - 2 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

75V

현재-최대

1.5A

커패시턴스 @ Vr, F

0.38pF @ 6V, 1MHz

저항 @ If, F

2Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

3W

작동 온도

175°C (TJ)

패키지 / 케이스

2-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.25pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

700mOhm @ 3mA, 1GHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

MA4PH237-1079T

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제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

200V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1.5pF @ 10V, 1MHz

저항 @ If, F

600mOhm @ 50mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

2W

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

패키지 / 케이스

2-SMD

공급자 장치 패키지

-

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