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BAR6304WE6327HTSA1

BAR6304WE6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BAR6304WE6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BAR6304WE6327HTSA1
설명 RF DIODE PIN 50V 250MW SOT323-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,418
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAR6304WE6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAR6304WE6327HTSA1
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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  • BAR6304WE6327HTSA1 Distributor

BAR6304WE6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형PIN - 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대)50V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F0.3pF @ 5V, 1MHz
저항 @ If, F1Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)250mW
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지PG-SOT323-3

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전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.25pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

700mOhm @ 3mA, 1GHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

ASML-5829-TR2G

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제조업체

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시리즈

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다이오드 유형

Pin + Schottky 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

128V, 22V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.375pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

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다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

30mA

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1kHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

100°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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HSMS-286L-TR2G

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Broadcom Limited

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다이오드 유형

Schottky - 3 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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다이오드 유형

Standard - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 6V, 1MHz

저항 @ If, F

900mOhm @ 2mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

150mW

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

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