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BAR9002ELE6327XTMA1

BAR9002ELE6327XTMA1

참조 용

부품 번호 BAR9002ELE6327XTMA1
PNEDA 부품 번호 BAR9002ELE6327XTMA1
설명 RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2-19
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,136
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAR9002ELE6327XTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAR9002ELE6327XTMA1
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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BAR9002ELE6327XTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)80V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F0.35pF @ 1V, 1MHz
저항 @ If, F800mOhm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)250mW
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스0402 (1006 Metric)
공급자 장치 패키지TSLP-2-19

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시리즈

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1.5pF @ 15V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

120mW

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

MA4E1318

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제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Anti-Parallel

전압-피크 역방향 (최대)

7V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.06pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-65°C ~ 125°C (TJ)

패키지 / 케이스

2-SMD

공급자 장치 패키지

-

BA 892-02V E6433

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.1pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

500mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

PG-SC79-2

HSMP-389Z-BLKG

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

BAT68E6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

8V

현재-최대

130mA

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

10Ohm @ 5mA, 10kHz

전력 손실 (최대)

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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