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BB659H7902XTSA1

BB659H7902XTSA1

참조 용

부품 번호 BB659H7902XTSA1
PNEDA 부품 번호 BB659H7902XTSA1
설명 DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,560
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BB659H7902XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BB659H7902XTSA1
분류반도체다이오드 및 정류기배 랙터 다이오드

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  • BB659H7902XTSA1 Distributor

BB659H7902XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
커패시턴스 @ Vr, F2.9pF @ 28V, 1MHz
커패시턴스 비율14.7
커패시턴스 비율 조건C1/C28
전압-피크 역방향 (최대)30V
다이오드 유형Single
Q @ Vr, F-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-80
공급자 장치 패키지SCD-80

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커패시턴스 비율

10

커패시턴스 비율 조건

C0.3/C4.7

전압-피크 역방향 (최대)

15V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

1500 @ 3V, 50MHz

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

0402 (1005 Metric)

공급자 장치 패키지

0402

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Skyworks Solutions

제조업체

Skyworks Solutions Inc.

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

3.6pF @ 6V, 50MHz

커패시턴스 비율

3.4

커패시턴스 비율 조건

C1/C6

전압-피크 역방향 (최대)

15V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-882

공급자 장치 패키지

SOD-882

MMBV609LT1

ON Semiconductor

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ON Semiconductor

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

32pF @ 3V, 1MHz

커패시턴스 비율

2.4

커패시턴스 비율 조건

C3/C8

전압-피크 역방향 (최대)

20V

다이오드 유형

1 Pair Common Cathode

Q @ Vr, F

450 @ 3V, 50MHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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SOT-23-3 (TO-236)

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Panasonic Electronic Components

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

8.9pF @ 3V, 1MHz

커패시턴스 비율

-

커패시턴스 비율 조건

-

전압-피크 역방향 (최대)

6V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-101, SOT-883

공급자 장치 패키지

ML3-N2

MV2101G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

7.5pF @ 4V, 1MHz

커패시턴스 비율

3.2

커패시턴스 비율 조건

C2/C30

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

450 @ 4V, 50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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