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MV2101G

MV2101G

참조 용

부품 번호 MV2101G
PNEDA 부품 번호 MV2101G
설명 DIODE TUNING 30V 6.8PF TO92-2
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,392
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 15 - 2월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MV2101G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MV2101G
분류반도체다이오드 및 정류기배 랙터 다이오드
데이터 시트
MV2101G, MV2101G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 69.8 KB)
PDFMV2105 데이터 시트 표지
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MV2101G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
커패시턴스 @ Vr, F7.5pF @ 4V, 1MHz
커패시턴스 비율3.2
커패시턴스 비율 조건C2/C30
전압-피크 역방향 (최대)30V
다이오드 유형Single
Q @ Vr, F450 @ 4V, 50MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
공급자 장치 패키지TO-92

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시리즈

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커패시턴스 @ Vr, F

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커패시턴스 비율

1.8

커패시턴스 비율 조건

C1/C4

전압-피크 역방향 (최대)

10V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SC-79

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

3.23pF @ 2.5V, 1MHz

커패시턴스 비율

2.55

커패시턴스 비율 조건

C0.5/C2.5

전압-피크 역방향 (최대)

6V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

SSSMini2-F1

BB55502VE7908XT

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.3pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

9.8

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

PG-SC79-2

MV2109RLRAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

36.3pF @ 4V, 1MHz

커패시턴스 비율

3.2

커패시턴스 비율 조건

C2/C30

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

200 @ 4V, 50MHz

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)

공급자 장치 패키지

TO-92

BB 664 E7902

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.75pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

17.8

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-80

공급자 장치 패키지

SCD-80

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