MV2105 데이터 시트
|
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 16.5pF @ 4V, 1MHz 커패시턴스 비율 3.2 커패시턴스 비율 조건 C2/C30 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 400 @ 4V, 50MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) 공급자 장치 패키지 TO-92 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 7.5pF @ 4V, 1MHz 커패시턴스 비율 3.2 커패시턴스 비율 조건 C2/C30 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 450 @ 4V, 50MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) 공급자 장치 패키지 TO-92 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 7.5pF @ 4V, 1MHz 커패시턴스 비율 3.2 커패시턴스 비율 조건 C2/C30 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 450 @ 4V, 50MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) 공급자 장치 패키지 TO-92 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 29.7pF @ 4V, 1MHz 커패시턴스 비율 3.2 커패시턴스 비율 조건 C2/C30 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 300 @ 4V, 50MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 29.7pF @ 4V, 1MHz 커패시턴스 비율 3.2 커패시턴스 비율 조건 C2/C30 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 300 @ 4V, 50MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 24.2pF @ 4V, 1MHz 커패시턴스 비율 3.2 커패시턴스 비율 조건 C2/C30 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 350 @ 4V, 50MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 24.2pF @ 4V, 1MHz 커패시턴스 비율 3.2 커패시턴스 비율 조건 C2/C30 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 350 @ 4V, 50MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 36.3pF @ 4V, 1MHz 커패시턴스 비율 3.2 커패시턴스 비율 조건 C2/C30 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 200 @ 4V, 50MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) 공급자 장치 패키지 TO-92 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 36.3pF @ 4V, 1MHz 커패시턴스 비율 3.2 커패시턴스 비율 조건 C2/C30 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 200 @ 4V, 50MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 16.5pF @ 4V, 1MHz 커패시턴스 비율 3.2 커패시턴스 비율 조건 C2/C30 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 400 @ 4V, 50MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 7.5pF @ 4V, 1MHz 커패시턴스 비율 3.2 커패시턴스 비율 조건 C2/C30 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 450 @ 4V, 50MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 36.3pF @ 4V, 1MHz 커패시턴스 비율 3.2 커패시턴스 비율 조건 C2/C30 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 200 @ 4V, 50MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
