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MMBV2108LT1G

MMBV2108LT1G

참조 용

부품 번호 MMBV2108LT1G
PNEDA 부품 번호 MMBV2108LT1G
설명 DIODE TUNING SS 30V SOT-23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,344
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 15 - 2월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBV2108LT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBV2108LT1G
분류반도체다이오드 및 정류기배 랙터 다이오드
데이터 시트
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MMBV2108LT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
커패시턴스 @ Vr, F29.7pF @ 4V, 1MHz
커패시턴스 비율3.2
커패시턴스 비율 조건C2/C30
전압-피크 역방향 (최대)30V
다이오드 유형Single
Q @ Vr, F300 @ 4V, 50MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

32V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-523

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커패시턴스 @ Vr, F

2.9pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

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커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-80

공급자 장치 패키지

SCD-80

BB199,115

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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커패시턴스 @ Vr, F

13.8pF @ 2V, 1MHz

커패시턴스 비율

2.8

커패시턴스 비율 조건

C0.5/C2

전압-피크 역방향 (최대)

20V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SOD-523

SMV1272-079LF

Skyworks Solutions

제조업체

Skyworks Solutions Inc.

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

6pF @ 4V, 1MHz

커패시턴스 비율

3

커패시턴스 비율 조건

C1/C4

전압-피크 역방향 (최대)

15V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SC-79

BBY5702VH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

5.5pF @ 4V, 1MHz

커패시턴스 비율

4.5

커패시턴스 비율 조건

C1/C4

전압-피크 역방향 (최대)

10V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

PG-SC79-2

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