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MV2109G

MV2109G

참조 용

부품 번호 MV2109G
PNEDA 부품 번호 MV2109G
설명 DIODE TUNING 30V 200MA TO92-2
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $0.3301
500 ---------- $0.3146
1,000 ---------- $0.2992
2,500 ---------- $0.2837
5,000 ---------- $0.2708
10,000 ---------- $0.2579
재고 있음 3,286
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MV2109G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MV2109G
분류반도체다이오드 및 정류기배 랙터 다이오드
데이터 시트
MV2109G, MV2109G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 69.8 KB)
PDFMV2105 데이터 시트 표지
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MV2109G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
커패시턴스 @ Vr, F36.3pF @ 4V, 1MHz
커패시턴스 비율3.2
커패시턴스 비율 조건C2/C30
전압-피크 역방향 (최대)30V
다이오드 유형Single
Q @ Vr, F200 @ 4V, 50MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
공급자 장치 패키지TO-92

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커패시턴스 비율

2.2

커패시턴스 비율 조건

C1/C4

전압-피크 역방향 (최대)

7V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.92pF @ 25V, 1MHz

커패시턴스 비율

11

커패시턴스 비율 조건

C2/C25

전압-피크 역방향 (최대)

32V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SOD-523

BBY 66-05 E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

13.5pF @ 4.5V, 1MHz

커패시턴스 비율

5.41

커패시턴스 비율 조건

C1/C4.5

전압-피크 역방향 (최대)

12V

다이오드 유형

1 Pair Common Cathode

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

BB68902VH7902XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.9pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

23.2

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

PG-SC79-2

MV2101G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

7.5pF @ 4V, 1MHz

커패시턴스 비율

3.2

커패시턴스 비율 조건

C2/C30

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

450 @ 4V, 50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)

공급자 장치 패키지

TO-92

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