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BC550C

BC550C

참조 용

부품 번호 BC550C
PNEDA 부품 번호 BC550C
설명 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,326
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BC550C 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC550C
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BC550C, BC550C 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 59.45 KB)
PDFBC550C 데이터 시트 표지
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BC550C 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce420 @ 2mA, 5V
전력-최대625mW
주파수-전환250MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

5V @ 15mA, 150mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

전력-최대

800mW

주파수-전환

-

작동 온도

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장착 유형

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

520mV @ 100mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

전력-최대

800mW

주파수-전환

390MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TP

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 20mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

80MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SC-71

공급자 장치 패키지

MSTM

FZT956TC

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

200V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

370mV @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 5V

전력-최대

3W

주파수-전환

110MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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