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BC858B-7-F

BC858B-7-F

참조 용

부품 번호 BC858B-7-F
PNEDA 부품 번호 BC858B-7-F
설명 TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BC858B-7-F 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC858B-7-F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BC858B-7-F, BC858B-7-F 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 354.14 KB)
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BC858B-7-F 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)15nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce220 @ 2mA, 5V
전력-최대300mW
주파수-전환200MHz
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 10mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

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-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

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220 @ 2mA, 5V

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250MHz

작동 온도

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패키지 / 케이스

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제조업체

ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

500mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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ON Semiconductor

제조업체

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

8V @ 3.3A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 4V

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