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BCR183E6359HTMA1

BCR183E6359HTMA1

참조 용

부품 번호 BCR183E6359HTMA1
PNEDA 부품 번호 BCR183E6359HTMA1
설명 TRANS PREBIAS PNP SOT23
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 17 - 4월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BCR183E6359HTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BCR183E6359HTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
BCR183E6359HTMA1, BCR183E6359HTMA1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 892.18 KB)
PDFBCR183SE6433BTMA1 데이터 시트 표지
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  • BCR183E6359HTMA1 Distributor

BCR183E6359HTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
주파수-전환200MHz
전력-최대200mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

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100 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

125mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

DTC123JEBTL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-89, SOT-490

공급자 장치 패키지

EMT3F (SOT-416FL)

DDTA113ZE-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

1 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

33 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-523

공급자 장치 패키지

SOT-523

DTC115ECAHZGT116

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased + Diode

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

저항-베이스 (R1)

100 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

100 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

82 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

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주파수-전환

250MHz

전력-최대

350mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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