BF1102R,115
참조 용
| 부품 번호 | BF1102R,115 |
| PNEDA 부품 번호 | BF1102R-115 |
| 설명 | FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,308 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 4 - 5월 9 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BF1102R 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BF1102R,115 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
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BF1102R 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel Dual Gate |
| 주파수 | 800MHz |
| 이득 | - |
| 전압-테스트 | 5V |
| 전류 정격 (Amps) | 40mA |
| 소음 수치 | 2dB |
| 현재-테스트 | 15mA |
| 전원-출력 | - |
| 전압-정격 | 7V |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급자 장치 패키지 | 6-TSSOP |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB 공급자 장치 패키지 SOT-426 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.88GHz 이득 19dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.8A 전원-출력 50W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780S 공급자 장치 패키지 NI-780S |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 880MHz 이득 20.2dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 950mA 전원-출력 27W 전압-정격 66V 패키지 / 케이스 TO-270AB 공급자 장치 패키지 TO-270 WB-4 |
제조업체 CEL 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 900MHz 이득 22dB 전압-테스트 7.5V 전류 정격 (Amps) 2.1A 소음 수치 - 현재-테스트 140mA 전원-출력 38.5dBm 전압-정격 30V 패키지 / 케이스 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 79A |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 960MHz 이득 18.5dB 전압-테스트 30V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 1.85A 전원-출력 220W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지 H-36260-2 |
