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PTFA092201E V1

PTFA092201E V1

참조 용

부품 번호 PTFA092201E V1
PNEDA 부품 번호 PTFA092201E-V1
설명 FET RF 65V 960MHZ H-36260-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,920
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA092201E V1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA092201E V1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA092201E V1, PTFA092201E V1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 1,765.65 KB)
PDFPTFA092201FV4R250XTMA1 데이터 시트 표지
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  • PTFA092201E V1 Distributor

PTFA092201E V1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수960MHz
이득18.5dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트1.85A
전원-출력220W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지H-36260-2

관심을 가질만한 제품

BG 3230 E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 N-Channel (Dual)

주파수

800MHz

이득

24dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

25mA

소음 수치

1.3dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

8V

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

25dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

600W

전압-정격

130V

패키지 / 케이스

NI-1230-4H

공급자 장치 패키지

NI-1230-4H

CG2H80030D-GP4

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

8GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

30W

전압-정격

84V

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

PTFA190451EV4XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

11W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36265-2

공급자 장치 패키지

H-36265-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

15.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

23W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

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JS28F128J3D75A

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LTC4303IMS8#TRPBF

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ACPL-M21L-500E

ACPL-M21L-500E

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OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 5SO