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BG3130RH6327XTSA1

BG3130RH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BG3130RH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BG3130RH6327XTSA1
설명 MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BG3130RH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BG3130RH6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
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PDFBG3130RH6327XTSA1 데이터 시트 표지
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  • BG3130RH6327XTSA1 Distributor

BG3130RH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형2 N-Channel (Dual)
주파수800MHz
이득24dB
전압-테스트5V
전류 정격 (Amps)25mA
소음 수치1.3dB
현재-테스트14mA
전원-출력-
전압-정격8V
패키지 / 케이스6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지PG-SOT363-6

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-

소음 수치

-

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850mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

LDMOST

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시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

13.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

19W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.6GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

160mA

전원-출력

3W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270AA

공급자 장치 패키지

TO-270-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

15.2dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

7.3W

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

PLD-1.5W

공급자 장치 패키지

PLD-1.5W

STAC1011-350

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz ~ 1.09GHz

이득

15dB

전압-테스트

36V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

350W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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