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BF1211R,215

BF1211R,215

참조 용

부품 번호 BF1211R,215
PNEDA 부품 번호 BF1211R-215
설명 MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,374
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 29 - 2월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF1211R 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF1211R,215
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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BF1211R 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel Dual Gate
주파수400MHz
이득29dB
전압-테스트5V
전류 정격 (Amps)30mA
소음 수치0.9dB
현재-테스트15mA
전원-출력-
전압-정격6V
패키지 / 케이스SOT-143R
공급자 장치 패키지SOT-143R

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전류 정격 (Amps)

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소음 수치

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현재-테스트

600mA

전원-출력

80W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

TO-272BB

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

BF862,215

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

25mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

14.5dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

25W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

PTFA191001EV4R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

17dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

44dBm

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-36248-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.69GHz

이득

16.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

15.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-400-240

공급자 장치 패키지

NI-400-240

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