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PTFA210601EV4XWSA1

PTFA210601EV4XWSA1

참조 용

부품 번호 PTFA210601EV4XWSA1
PNEDA 부품 번호 PTFA210601EV4XWSA1
설명 IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,284
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA210601EV4XWSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA210601EV4XWSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA210601EV4XWSA1, PTFA210601EV4XWSA1 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 258.4 KB)
PDFPTFA210601F V4 R250 데이터 시트 표지
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PTFA210601EV4XWSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.14GHz
이득16dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트550mA
전원-출력12W
전압-정격65V
패키지 / 케이스H-36265-2
공급자 장치 패키지H-36265-2

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이득

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9.6V

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5A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

7.5W

전압-정격

36V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

PW-X

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.16GHz ~ 2.17GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.05A

전원-출력

23W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz ~ 1.93GHz

이득

16.2dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

570W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-7

공급자 장치 패키지

SOT-1258-7

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

860MHz

이득

22.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

90W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

3.4A

전원-출력

95W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1242C

공급자 장치 패키지

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