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BF5030WE6327HTSA1

BF5030WE6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BF5030WE6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BF5030WE6327HTSA1
설명 MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,100
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF5030WE6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF5030WE6327HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BF5030WE6327HTSA1, BF5030WE6327HTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 579.68 KB)
PDFBF5030WH6327XTSA1 데이터 시트 표지
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BF5030WE6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel
주파수800MHz
이득24dB
전압-테스트3V
전류 정격 (Amps)25mA
소음 수치1.3dB
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격8V
패키지 / 케이스SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지PG-SOT343-4

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30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

8W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-400S-2S

공급자 장치 패키지

NI-400S-2S

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패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

BF2030WH6824XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

800MHz

이득

23dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

40mA

소음 수치

1.5dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

8V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

PG-SOT343-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

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LDMOS (Dual)

주파수

1.88GHz

이득

15.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

63W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

200MHz

이득

25dB

전압-테스트

15V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

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