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BF5030WH6327XTSA1

BF5030WH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BF5030WH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BF5030WH6327XTSA1
설명 FET RF 8V 800MHZ SOT343
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,780
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 26 - 1월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF5030WH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF5030WH6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BF5030WH6327XTSA1, BF5030WH6327XTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 579.68 KB)
PDFBF5030WH6327XTSA1 데이터 시트 표지
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BF5030WH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel
주파수800MHz
이득24dB
전압-테스트3V
전류 정격 (Amps)25mA
소음 수치1.3dB
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격8V
패키지 / 케이스SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지SOT-343

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제조업체

Infineon Technologies

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주파수

800MHz

이득

23dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

40mA

소음 수치

1.6dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

-

전압-정격

8V

패키지 / 케이스

SOT-143R

공급자 장치 패키지

PG-SOT143R-4

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시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

27.12MHz

이득

19dB

전압-테스트

125V

전류 정격 (Amps)

60A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

750W

전압-정격

500V

패키지 / 케이스

T-1

공급자 장치 패키지

T-1

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

63W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.03GHz ~ 1.09GHz

이득

19.2dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

770W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.17GHz

이득

18.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

6.3W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

OM-780G-4L

공급자 장치 패키지

OM-780G-4L

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