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BF776H6327XTSA1

BF776H6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BF776H6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BF776H6327XTSA1
설명 RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 24,888
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF776H6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF776H6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
BF776H6327XTSA1, BF776H6327XTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 504.44 KB)
PDFBF776E6327FTSA1 데이터 시트 표지
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  • BF776H6327XTSA1 Distributor

BF776H6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)4.7V
주파수-전환46GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득24dB
전력-최대200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce180 @ 30mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지PG-SOT343-4

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

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전력-최대

125mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 5mA, 4V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

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작동 온도

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주파수-전환

1.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

6.5dB @ 60MHz

이득

14dB @ 200MHz

전력-최대

350W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92

60158

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

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ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

주파수-전환

600MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

이득

-

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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