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BF799E6327HTSA1

BF799E6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BF799E6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BF799E6327HTSA1
설명 RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT23-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF799E6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF799E6327HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
BF799E6327HTSA1, BF799E6327HTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 520.18 KB)
PDFBF799E6327HTSA1 데이터 시트 표지
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  • BF799E6327HTSA1 Distributor

BF799E6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)20V
주파수-전환800MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)3dB @ 100MHz
이득-
전력-최대280mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce40 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)35mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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이득

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전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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주파수-전환

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

이득

12.5dB ~ 21dB @ 450MHz

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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AT-32063-TR1

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트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5.5V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

이득

12.5dB ~ 14.5dB

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 2.7V

전류-수집기 (Ic) (최대)

32mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

KSC2757YMTF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

1.1GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

8V

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz

이득

-

전력-최대

500mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

18mA

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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