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BF799WH6327XTSA1

BF799WH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BF799WH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BF799WH6327XTSA1
설명 RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,348
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF799WH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF799WH6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
BF799WH6327XTSA1, BF799WH6327XTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 510.24 KB)
PDFBF799WH6327XTSA1 데이터 시트 표지
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  • BF799WH6327XTSA1 Distributor

BF799WH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)20V
주파수-전환800MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)3dB @ 100MHz
이득-
전력-최대280mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce40 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)35mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지PG-SOT323-3

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

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이득

-

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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주파수-전환

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

이득

25dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

9.5V

주파수-전환

900MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

8dB

전력-최대

2W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 300mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

MS2562

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5.5V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

이득

11dB ~ 12.5dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 2.7V

전류-수집기 (Ic) (최대)

32mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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