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BFG35,115

BFG35,115

참조 용

부품 번호 BFG35,115
PNEDA 부품 번호 BFG35-115
설명 RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 23,748
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BFG35 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFG35,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
BFG35, BFG35 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 283.69 KB)
PDFBFG35 데이터 시트 표지
BFG35 데이터 시트 페이지 2 BFG35 데이터 시트 페이지 3 BFG35 데이터 시트 페이지 4 BFG35 데이터 시트 페이지 5 BFG35 데이터 시트 페이지 6 BFG35 데이터 시트 페이지 7 BFG35 데이터 시트 페이지 8 BFG35 데이터 시트 페이지 9 BFG35 데이터 시트 페이지 10 BFG35 데이터 시트 페이지 11

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BFG35 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)18V
주파수-전환4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce25 @ 100mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)150mA
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지SOT-223

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2.8V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2.4GHz

이득

13.1dB

전력-최대

220mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

155 @ 10mA, 2V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-343F

공급자 장치 패키지

4-DFP

BFP183WH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

22dB

전력-최대

450mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

PG-SOT343-4

CP302-MPSH10-CT20

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

주파수-전환

650MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

HFA3096BZ96

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

3 NPN + 2 PNP

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V, 15V

주파수-전환

8GHz, 5.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

이득

-

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

60168

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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