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BFG425W,115

BFG425W,115

참조 용

부품 번호 BFG425W,115
PNEDA 부품 번호 BFG425W-115
설명 RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,438
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BFG425W 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFG425W,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
BFG425W, BFG425W 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 143.86 KB)
PDFBFG425W 데이터 시트 표지
BFG425W 데이터 시트 페이지 2 BFG425W 데이터 시트 페이지 3 BFG425W 데이터 시트 페이지 4 BFG425W 데이터 시트 페이지 5 BFG425W 데이터 시트 페이지 6 BFG425W 데이터 시트 페이지 7 BFG425W 데이터 시트 페이지 8 BFG425W 데이터 시트 페이지 9 BFG425W 데이터 시트 페이지 10 BFG425W 데이터 시트 페이지 11

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BFG425W 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)4.5V
주파수-전환25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
이득20dB
전력-최대135mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce50 @ 25mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대)30mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지CMPAK-4

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

9GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

이득

-

전력-최대

300mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

UPA801T-A

CEL

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

4.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

이득

-

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 7mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

SD8253-02H

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CM5160

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

주파수-전환

500MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

1W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 50mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-39

2N5109

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

주파수-전환

1.2GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

12dB

전력-최대

2.5W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 15V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400mA

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-39

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