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BFP196WNH6327XTSA1

BFP196WNH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BFP196WNH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BFP196WNH6327XTSA1
설명 RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 24,480
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 17 - 4월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BFP196WNH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFP196WNH6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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BFP196WNH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
주파수-전환7.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.3dB @ 900MHz
이득9.7dB
전력-최대700mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대)150mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지PG-SOT343-4

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BFP540E6327BTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5V

주파수-전환

30GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

이득

21.5dB

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 3.5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

PG-SOT343-4

BFU590QX

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

6.5dB

전력-최대

2W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 80mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89-3

MS1202

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

35V

주파수-전환

118MHz ~ 136MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

8.4dB

전력-최대

15W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

5 @ 100mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

M135

공급자 장치 패키지

M135

MPSH10_D27Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

주파수-전환

650MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

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