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BFP740ESDH6327XTSA1

BFP740ESDH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BFP740ESDH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BFP740ESDH6327XTSA1
설명 RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,986
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 16 - 4월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BFP740ESDH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFP740ESDH6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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BFP740ESDH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)4.7V
주파수-전환45GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz
이득8.5dB ~30.5dB
전력-최대160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce160 @ 25mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대)45mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지SOT-343

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

9GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

이득

10.5dB ~ 14dB

전력-최대

600mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Chip

BFP183E7764HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

22dB

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

PG-SOT143-4

JANTXV2N2857UB

Microsemi

제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

이득

21dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

UB

SD1330-05H

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3.3V

주파수-전환

21GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

이득

12.5dB

전력-최대

115mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 2V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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