BFR31LT1G
참조 용
| 부품 번호 | BFR31LT1G |
| PNEDA 부품 번호 | BFR31LT1G |
| 설명 | JFET N-CH 225MW SOT23 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,888 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BFR31LT1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BFR31LT1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
| 데이터 시트 |
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BFR31LT1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1mA @ 10V |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | - |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 2.5V @ 0.5nA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5pF @ 10V |
| 저항-RDS (켜짐) | - |
| 전력-최대 | 225mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23-3 (TO-236) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 4V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14pF @ 15V 저항-RDS (켜짐) 30 Ohms 전력-최대 225mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 140µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 200mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3.5pF @ 5V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 100mW 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 3-VTFP |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 - 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) - 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-206AA (TO-18) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 40V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 200µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 350mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 7mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 3V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5.5pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐) 125 Ohms 전력-최대 350mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92 |
