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BFR740L3RHE6327XTSA1

BFR740L3RHE6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BFR740L3RHE6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BFR740L3RHE6327XTSA1
설명 RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 144,582
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BFR740L3RHE6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFR740L3RHE6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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BFR740L3RHE6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)4.7V
주파수-전환42GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz
이득24.5dB
전력-최대160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce160 @ 25mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대)30mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지PG-TSLP-3

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주파수-전환

650MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3.3dB @ 100MHz

이득

24dB

전력-최대

125mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

주파수-전환

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

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이득

7.5dB

전력-최대

20W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

2.4A

작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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CEL

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

10GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

이득

9.5dB

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2.8V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2.4GHz

이득

13.1dB

전력-최대

220mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

155 @ 10mA, 2V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-343F

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제조업체

Central Semiconductor Corp

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

2GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

4.5dB @ 200MHz

이득

15dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

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