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BG3123RH6327XTSA1

BG3123RH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BG3123RH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BG3123RH6327XTSA1
설명 MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,956
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BG3123RH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BG3123RH6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BG3123RH6327XTSA1, BG3123RH6327XTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 100.23 KB)
PDFBG3123RH6327XTSA1 데이터 시트 표지
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BG3123RH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형2 N-Channel (Dual)
주파수800MHz
이득25dB
전압-테스트5V
전류 정격 (Amps)25mA, 20mA
소음 수치1.8dB
현재-테스트14mA
전원-출력-
전압-정격8V
패키지 / 케이스6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지PG-SOT363-6

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Infineon Technologies

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28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

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900mA

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

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STMicroelectronics

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전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

25W

전압-정격

40V

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