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MRF6VP11KGSR5

MRF6VP11KGSR5

참조 용

부품 번호 MRF6VP11KGSR5
PNEDA 부품 번호 MRF6VP11KGSR5
설명 FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,218
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6VP11KGSR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6VP11KGSR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6VP11KGSR5, MRF6VP11KGSR5 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 853.45 KB)
PDFMRF6VP11KGSR5 데이터 시트 표지
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MRF6VP11KGSR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수130MHz
이득26dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트150mA
전원-출력1000W
전압-정격110V
패키지 / 케이스NI-1230S-4 GW
공급자 장치 패키지NI-1230S-4 GULL

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전류 정격 (Amps)

40mA

소음 수치

1.1dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

13V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

3.1GHz

이득

13dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

400W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

BLF8G22LS-140U

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

33W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

HFET

주파수

2GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

60mA

소음 수치

0.4dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

11dBm

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

SOT-343F

공급자 장치 패키지

M04

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

922.5MHz ~ 957.5MHz

이득

22.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

39A

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

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