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BG3430RH6327XTSA1

BG3430RH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BG3430RH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BG3430RH6327XTSA1
설명 MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,892
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BG3430RH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BG3430RH6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BG3430RH6327XTSA1, BG3430RH6327XTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 542.7 KB)
PDFBG3430RH6327XTSA1 데이터 시트 표지
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BG3430RH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형2 N-Channel (Dual)
주파수800MHz
이득25dB
전압-테스트5V
전류 정격 (Amps)25mA
소음 수치1.3dB
현재-테스트14mA
전원-출력-
전압-정격8V
패키지 / 케이스6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지PG-SOT363-6

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전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

53dBm

전압-정격

50V

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

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LDMOS (Dual), Common Source

주파수

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

18A

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

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LDMOS

주파수

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이득

17dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

25W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

BLM8D1822-25BZ

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.8GHz ~ 2.2GHz

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

25W

전압-정격

28V

패키지 / 케이스

20-QFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

20-PQFN (8x8)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

10dB

전압-테스트

6V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

65mA

전원-출력

158mW

전압-정격

8V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

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