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BLA6H0912-500,112

BLA6H0912-500,112

참조 용

부품 번호 BLA6H0912-500,112
PNEDA 부품 번호 BLA6H0912-500-112
설명 RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
제조업체 Ampleon
단가
1 ---------- $2,421.2888
50 ---------- $2,307.7909
100 ---------- $2,194.2930
200 ---------- $2,080.7951
400 ---------- $1,986.2135
500 ---------- $1,891.6319
재고 있음 64
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BLA6H0912-500 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLA6H0912-500,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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  • BLA6H0912-500,112 Distributor

BLA6H0912-500 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수960MHz ~ 1.22GHz
이득17dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)54A
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력450W
전압-정격100V
패키지 / 케이스SOT634A
공급자 장치 패키지CDFM2

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LDMOS (Dual)

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

58W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230-4LS2L

공급자 장치 패키지

NI-1230-4LS2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

400MHz

이득

30.5dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

0.9dB

현재-테스트

12mA

전원-출력

-

전압-정격

10V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.92GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

37W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.88GHz

이득

16dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

72W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1110B

공급자 장치 패키지

NI1230S-8

ATF-50189-TR2

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

E-pHEMT

주파수

2GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

4.5V

전류 정격 (Amps)

1A

소음 수치

1.1dB

현재-테스트

280mA

전원-출력

29dBm

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

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