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BLA9G1011L-300GU

BLA9G1011L-300GU

참조 용

부품 번호 BLA9G1011L-300GU
PNEDA 부품 번호 BLA9G1011L-300GU
설명 RF MOSFET LDMOS 32V SOT502F
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 4,716
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 18 - 4월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLA9G1011L-300GU 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLA9G1011L-300GU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLA9G1011L-300GU, BLA9G1011L-300GU 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 1,623.38 KB)
PDFBLA9G1011LS-300GU 데이터 시트 표지
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BLA9G1011L-300GU 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.03GHz ~ 1.09GHz
이득21.8dB
전압-테스트32V
전류 정격 (Amps)4.2µA
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력317W
전압-정격-
패키지 / 케이스SOT-502A
공급자 장치 패키지SOT502F

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

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주파수

1.95GHz

이득

15dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

1.8A

소음 수치

3.1dB

현재-테스트

500mA

전원-출력

12W

전압-정격

120V

패키지 / 케이스

440196

공급자 장치 패키지

440196

PTAB182002TCV2XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

450MHz

이득

20dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

1000W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.4GHz

이득

17.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1000W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

SOT-979A

공급자 장치 패키지

NI-1230-4H

CGHV37400F

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

3.3GHz ~ 3.8GHz

이득

14dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

525W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

440217

공급자 장치 패키지

440217

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