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BLC9G10XS-120AZ

BLC9G10XS-120AZ

참조 용

부품 번호 BLC9G10XS-120AZ
PNEDA 부품 번호 BLC9G10XS-120AZ
설명 RF LDMOS TRANS 120W SOT1273
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 6,444
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLC9G10XS-120AZ 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLC9G10XS-120AZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLC9G10XS-120AZ, BLC9G10XS-120AZ 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 1,887.55 KB)
PDFBLC9G10XS-120AZ 데이터 시트 표지
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  • BLC9G10XS-120AZ Distributor

BLC9G10XS-120AZ 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수920MHz ~ 960MHz
이득21dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)1.4µA
소음 수치-
현재-테스트120mA
전원-출력120W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT1273-1
공급자 장치 패키지SOT1273-1

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

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이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

8.2A

소음 수치

-

현재-테스트

225mA

전원-출력

4.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.5GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230-4LS2L

공급자 장치 패키지

NI-1230-4LS2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

21.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

58W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

BLF578XR,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

225MHz

이득

23.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

40mA

전원-출력

1400W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.45GHz

이득

18.6dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

110mA

전원-출력

12.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

16-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

16-DFN (4x6)

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