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BLD6G22LS-50,112

BLD6G22LS-50,112

참조 용

부품 번호 BLD6G22LS-50,112
PNEDA 부품 번호 BLD6G22LS-50-112
설명 RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130B
제조업체 Ampleon
단가
1 ---------- $1,003.9873
50 ---------- $956.9254
100 ---------- $909.8635
200 ---------- $862.8016
400 ---------- $823.5834
500 ---------- $784.3651
재고 있음 181
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BLD6G22LS-50 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLD6G22LS-50,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLD6G22LS-50, BLD6G22LS-50 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 1,026.94 KB)
PDFBLD6G22LS-50 데이터 시트 표지
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  • BLD6G22LS-50,112 Distributor

BLD6G22LS-50 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수2.14GHz
이득14dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)10.2A
소음 수치-
현재-테스트170mA
전원-출력8W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1130B
공급자 장치 패키지CDFM4

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28V

전류 정격 (Amps)

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현재-테스트

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전원-출력

30W

전압-정격

65V

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STMicroelectronics

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

17dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

2.5A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

3W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

10-PowerSO

NPT35050AB

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제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

3.3GHz ~ 3.8GHz

이득

12dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

19.5A

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

6W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

PTFA192401FV4R250XTMA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

16dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37260-2

PTFB192503EL-V1-R0

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

19dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.9A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-33288-6

공급자 장치 패키지

H-33288-6

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