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BLF175,112

BLF175,112

참조 용

부품 번호 BLF175,112
PNEDA 부품 번호 BLF175-112
설명 RF FET NCHA 125V 20DB SOT123A
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 5,742
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF175 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF175,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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BLF175 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel
주파수108MHz
이득20dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)4A
소음 수치-
현재-테스트30mA
전원-출력30W
전압-정격125V
패키지 / 케이스SOT-123A
공급자 장치 패키지CRFM4

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제조업체

Broadcom Limited

시리즈

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트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

2GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

4V

전류 정격 (Amps)

145mA

소음 수치

0.5dB

현재-테스트

60mA

전원-출력

20dBm

전압-정격

5.5V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

SOT-343

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz

이득

20.3dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

275W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

MAGX-001214-650L00

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

1.2GHz ~ 1.4GHz

이득

19.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

27A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

500W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

220MHz

이득

25.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

300W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

PTF210101M V1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

GOLDMOS®

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

180mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

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