MRF6V12250HR3
참조 용
| 부품 번호 | MRF6V12250HR3 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF6V12250HR3 |
| 설명 | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,448 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF6V12250HR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF6V12250HR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF6V12250HR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 1.03GHz |
| 이득 | 20.3dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 100mA |
| 전원-출력 | 275W |
| 전압-정격 | 100V |
| 패키지 / 케이스 | SOT-957A |
| 공급자 장치 패키지 | NI-780H-2L |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 D2PAK |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 130MHz 이득 26dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 150mA 전원-출력 1000W 전압-정격 110V 패키지 / 케이스 NI-1230S-4 GW 공급자 장치 패키지 NI-1230S-4 GULL |
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제조업체 Microwave Technology Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 MESFET 주파수 500MHz ~ 4GHz 이득 18dB 전압-테스트 6.5V 전류 정격 (Amps) 440mA 소음 수치 1.3dB 현재-테스트 440mA 전원-출력 28dbm 전압-정격 6.5V 패키지 / 케이스 TO-243AA 공급자 장치 패키지 SOT-89 |
