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BLF3G21-30,112

BLF3G21-30,112

참조 용

부품 번호 BLF3G21-30,112
PNEDA 부품 번호 BLF3G21-30-112
설명 RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 7,398
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF3G21-30 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF3G21-30,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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  • BLF3G21-30,112 Distributor

BLF3G21-30 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2GHz
이득13.5dB
전압-테스트26V
전류 정격 (Amps)4.5A
소음 수치-
현재-테스트450mA
전원-출력30W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT467C
공급자 장치 패키지SOT467C

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

15.8dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37260-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

25dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

600W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

NI-1230-4S

공급자 장치 패키지

NI-1230-4S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.81GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.8MHz ~ 250MHz

이득

21.1dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

115W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

2N5953

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

1kHz

이득

-

전압-테스트

15V

전류 정격 (Amps)

5mA

소음 수치

2dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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