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BLF6G10LS-160,118

BLF6G10LS-160,118

참조 용

부품 번호 BLF6G10LS-160,118
PNEDA 부품 번호 BLF6G10LS-160-118
설명 RF FET LDMOS SOT502B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 7,128
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 26 - 5월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6G10LS-160 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G10LS-160,118
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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  • BLF6G10LS-160,118 Distributor

BLF6G10LS-160 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수-
이득-
전압-테스트-
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트-
전원-출력-
전압-정격-
패키지 / 케이스SOT-502B
공급자 장치 패키지SOT502B

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시리즈

-

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LDMOS (Dual)

주파수

1.03GHz

이득

20dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

1000W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

HFET

주파수

20GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

70mA

소음 수치

0.65dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

S03

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.7GHz

이득

28.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

77mA

전원-출력

4W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

TO-272-16 Variant, Flat Leads

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-16

PTFA092211ELV4R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

940MHz

이득

18dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.75A

전원-출력

220W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-33288-2

VMMK-1225-BLKG

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

E-pHEMT

주파수

12GHz

이득

11dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

50mA

소음 수치

1dB

현재-테스트

20mA

전원-출력

8dBm

전압-정격

5V

패키지 / 케이스

0402 (1005 Metric)

공급자 장치 패키지

0402

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