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MRF6VP121KHSR6

MRF6VP121KHSR6

참조 용

부품 번호 MRF6VP121KHSR6
PNEDA 부품 번호 MRF6VP121KHSR6
설명 FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,082
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 27 - 5월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6VP121KHSR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6VP121KHSR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6VP121KHSR6, MRF6VP121KHSR6 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 1,238.84 KB)
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MRF6VP121KHSR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.03GHz
이득20dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트150mA
전원-출력1000W
전압-정격110V
패키지 / 케이스NI-1230S
공급자 장치 패키지NI-1230S

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이득

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전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

10W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

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Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

15.8dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37260-2

PTFA192001F V4 R250

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

15.9dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37260-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

21.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

14W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

TO-270BB

공급자 장치 패키지

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제조업체

Cree/Wolfspeed

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이득

20.4dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

130mA

전원-출력

30W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

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