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MRF6VP121KHSR6

MRF6VP121KHSR6

참조 용

부품 번호 MRF6VP121KHSR6
PNEDA 부품 번호 MRF6VP121KHSR6
설명 FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,082
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6VP121KHSR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6VP121KHSR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6VP121KHSR6, MRF6VP121KHSR6 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 1,238.84 KB)
PDFMRF6VP121KHSR6 데이터 시트 표지
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MRF6VP121KHSR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.03GHz
이득20dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트150mA
전원-출력1000W
전압-정격110V
패키지 / 케이스NI-1230S
공급자 장치 패키지NI-1230S

관심을 가질만한 제품

MAGX-000035-01000S

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

30MHz ~ 3.5GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

490mA

전원-출력

40dBm

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

PTFB212503EL-V1-R250

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

18.1dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.85A

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-33288-6

공급자 장치 패키지

H-33288-6

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

200MHz

이득

-

전압-테스트

8V

전류 정격 (Amps)

40mA

소음 수치

0.6dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

-

전압-정격

12V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

CMPAK-4

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.3GHz ~ 2.4GHz

이득

17.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.74A

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

BLF246,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

108MHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

13A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

80W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-121B

공급자 장치 패키지

CRFM4

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PIC32MX250F128D-I/PT

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TSM2323CX RFG

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SRP4020-2R2M

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EPM1270F256C5N

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742792410

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BC81725MTF

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TL431ACLPG

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