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BLF6G20LS-110,118

BLF6G20LS-110,118

참조 용

부품 번호 BLF6G20LS-110,118
PNEDA 부품 번호 BLF6G20LS-110-118
설명 RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 6,102
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6G20LS-110 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G20LS-110,118
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF6G20LS-110, BLF6G20LS-110 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 987.65 KB)
PDFBLF6G20-110 데이터 시트 표지
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  • BLF6G20LS-110,118 Distributor

BLF6G20LS-110 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.93GHz ~ 1.99GHz
이득19dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)29A
소음 수치-
현재-테스트900mA
전원-출력25W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502B
공급자 장치 패키지SOT502B

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

610mA

전원-출력

12W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-272BB

공급자 장치 패키지

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시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

175MHz

이득

16dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

10A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

200W

전압-정격

500V

패키지 / 케이스

6-SMD Module

공급자 장치 패키지

DE275

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

17.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

LET9045C

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

17.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

9A

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

59W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

M243

공급자 장치 패키지

M243

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.7GHz

이득

28.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

77mA

전원-출력

4W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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