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BLF6G21-10G,112

BLF6G21-10G,112

참조 용

부품 번호 BLF6G21-10G,112
PNEDA 부품 번호 BLF6G21-10G-112
설명 RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 8,220
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6G21-10G 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G21-10G,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF6G21-10G, BLF6G21-10G 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 917.46 KB)
PDFBLF6G21-10G 데이터 시트 표지
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BLF6G21-10G 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득18.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력700mW
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-538A
공급자 장치 패키지2-CSMD

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.12GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

610mA

전원-출력

14W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

HFET

주파수

20GHz

이득

10dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

70mA

소음 수치

0.75dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

S02

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

22.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

10W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-272-2

공급자 장치 패키지

TO-272-2

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz ~ 1.09GHz

이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

49A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

200W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502D

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

130MHz

이득

26dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

1000W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-1230S-4 GW

공급자 장치 패키지

NI-1230S-4 GULL

최근 판매

LTM2882HY-3#PBF

LTM2882HY-3#PBF

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2920L300/15DR

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LTST-C150CKT

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HLMP-2655

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AT24C256C-SSHL-B

AT24C256C-SSHL-B

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IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8SOIC