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MRF6S21060NR1

MRF6S21060NR1

참조 용

부품 번호 MRF6S21060NR1
PNEDA 부품 번호 MRF6S21060NR1
설명 FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,844
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 24 - 6월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S21060NR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S21060NR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S21060NR1, MRF6S21060NR1 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 1,438.41 KB)
PDFMRF6S21060NR1 데이터 시트 표지
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MRF6S21060NR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.12GHz
이득15.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트610mA
전원-출력14W
전압-정격68V
패키지 / 케이스TO-270AB
공급자 장치 패키지TO-270 WB-4

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M/A-Com Technology Solutions

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주파수

-

이득

18.6dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

8.6A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

250W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

450MHz

이득

20dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

1000W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

BLF145,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

28MHz

이득

27dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

6A

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

8W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-123A

공급자 장치 패키지

SOT-123A

PTFA192001F V4 R250

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

15.9dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37260-2

PXFC192207FH-V3-R250

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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