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BLF6G27S-45,112

BLF6G27S-45,112

참조 용

부품 번호 BLF6G27S-45,112
PNEDA 부품 번호 BLF6G27S-45-112
설명 RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 3,294
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 28 - 2월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6G27S-45 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G27S-45,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF6G27S-45, BLF6G27S-45 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 1,337.48 KB)
PDFBLF6G27-45 데이터 시트 표지
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  • BLF6G27S-45,112 Distributor

BLF6G27S-45 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.7GHz
이득18dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)20A
소음 수치-
현재-테스트350mA
전원-출력7W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-608B
공급자 장치 패키지CDFM2

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.03GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

20W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

860MHz

이득

22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

18W

전압-정격

120V

패키지 / 케이스

TO-272-4

공급자 장치 패키지

TO-272-4

MWT-A973

Microwave Technology Inc.

제조업체

Microwave Technology Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

MESFET

주파수

500MHz ~ 18GHz

이득

6.5dB

전압-테스트

3V

전류 정격 (Amps)

120mA

소음 수치

1.8dB

현재-테스트

30mA

전원-출력

24.5dBm

전압-정격

5V

패키지 / 케이스

Nonstandard SMD

공급자 장치 패키지

73

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.452GHz ~ 1.511GHz

이득

18.8dB

전압-테스트

31V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

-

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

OM-1230-4L2S

공급자 장치 패키지

OM-1230-4L2S

최근 판매

744043101

744043101

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