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BLF879P,112

BLF879P,112

참조 용

부품 번호 BLF879P,112
PNEDA 부품 번호 BLF879P-112
설명 RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
제조업체 Ampleon
단가
1 ---------- $1,856.1382
50 ---------- $1,769.1318
100 ---------- $1,682.1253
200 ---------- $1,595.1188
400 ---------- $1,522.6134
500 ---------- $1,450.1080
재고 있음 284
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BLF879P 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF879P,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF879P, BLF879P 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 1,470.48 KB)
PDFBLF879P 데이터 시트 표지
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BLF879P 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수860MHz
이득21dB
전압-테스트42V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.3A
전원-출력200W
전압-정격104V
패키지 / 케이스SOT539A
공급자 장치 패키지SOT539A

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현재-테스트

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전원-출력

29dBm

전압-정격

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패키지 / 케이스

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주파수

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이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

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전원-출력

45W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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MESFET Dual Gate

주파수

800MHz

이득

-

전압-테스트

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전류 정격 (Amps)

40mA

소음 수치

2dB

현재-테스트

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전원-출력

-

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

SOT-143R

공급자 장치 패키지

SOT-143R

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 1.995GHz

이득

18.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

257W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780-2S2L

공급자 장치 패키지

NI-780-2S2L

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 1.88GHz

이득

18dB

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-1258-7

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