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BLF8G22L-160BV,118

BLF8G22L-160BV,118

참조 용

부품 번호 BLF8G22L-160BV,118
PNEDA 부품 번호 BLF8G22L-160BV-118
설명 TRANSISTOR CDFM6
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,988
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 29 - 4월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF8G22L-160BV 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF8G22L-160BV,118
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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BLF8G22L-160BV 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형-
주파수-
이득-
전압-테스트-
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트-
전원-출력-
전압-정격-
패키지 / 케이스SOT-1120B
공급자 장치 패키지CDFM6

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

3.4GHz ~ 3.6GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

8.2A

소음 수치

-

현재-테스트

225mA

전원-출력

4.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-608B

공급자 장치 패키지

CDFM2

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

250mA, 1A

소음 수치

-

현재-테스트

20mA

전원-출력

35.4dBm

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

16-DFF, Exposed Pad

공급자 장치 패키지

16-HTSSOP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

700MHz ~ 1.3GHz

이득

20.6dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

650W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

SOT-979A

공급자 장치 패키지

NI-1230-4H

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

24dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1250W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

PTFA192001EV4XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

15.9dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-36260-2

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