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MRFE6VP61K25HSR6

MRFE6VP61K25HSR6

참조 용

부품 번호 MRFE6VP61K25HSR6
PNEDA 부품 번호 MRFE6VP61K25HSR6
설명 FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,796
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6VP61K25HSR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6VP61K25HSR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6VP61K25HSR6, MRFE6VP61K25HSR6 데이터 시트 (총 페이지: 23, 크기: 967.15 KB)
PDFMRFE6VP61K25HSR6 데이터 시트 표지
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MRFE6VP61K25HSR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수230MHz
이득24dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력1250W
전압-정격133V
패키지 / 케이스NI-1230S
공급자 장치 패키지NI-1230S

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제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

-

이득

12dB

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

60mA

소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz ~ 1.99GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

29W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

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LET20030C

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2GHz

이득

13.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

9A

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

45W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

M243

공급자 장치 패키지

M243

PD85006-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

17dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

2A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

6W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

10-PowerSO

2SK3476(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

520MHz

이득

11.4dB

전압-테스트

7.2V

전류 정격 (Amps)

3A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

7W

전압-정격

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