LET20030C
참조 용
| 부품 번호 | LET20030C |
| PNEDA 부품 번호 | LET20030C |
| 설명 | FET RF 80V 2GHZ M243 |
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,470 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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LET20030C 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | LET20030C |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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LET20030C 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 2GHz |
| 이득 | 13.9dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | 9A |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 400mA |
| 전원-출력 | 45W |
| 전압-정격 | 80V |
| 패키지 / 케이스 | M243 |
| 공급자 장치 패키지 | M243 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.96GHz 이득 17.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 450mA 전원-출력 11W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지 H-37265-2 |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 880MHz 이득 17.5dB 전압-테스트 26V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.4A 전원-출력 170W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-1230 공급자 장치 패키지 NI-1230 |
